意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间

中国，2021年10月19日

意法半导体的

STGAP2SiCSN

是为控制碳化硅MOSFET而优化的单通道

栅*驱动器

，采用节省空间的窄体SO-8

封装

，具有稳健的性能和精确的PWM控制。

SiC功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计，节省空间，并增强稳健性和可靠性。目标应用包括电动汽车充电系统、开关式电源、高压功率因数校正器(PFC)、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)、太阳能发电、电机驱动设备、风扇、工厂自动化、家用电器、电磁炉。

STGAP2SiCSN在栅*驱动通道和低压控制之间有电流

隔离

，在高压轨上可以耐受高达1700V的电压。输入到输出传播时间小于75ns，确保PWM控制精度高。±100V/ns共模瞬变抗扰度(CMTI)保证开关可靠性。内置保护功能包括欠压锁定和热关断，欠压锁定(UVLO)通过阈值电压防止SiC电源开关在低能效或不安全条件下工作。在检测到结温过高后，热关断降低驱动器的两个输出。

新产品提供两种配置选择，独立多输出配置可以使用外部电阻单独优化导通和关断时间，而单输出配置具有源米勒钳位功能，可以增强高频硬开关应用的稳健性，利用米勒钳位防止功率开关过度振荡。

STGAP2SiCSN逻辑输入兼容低达3.3V的TTL和CMOS逻辑信号，简化了与主微控制器或DSP处理器的连接。在高达26V的栅*驱动电压下，驱动器的*大吸电流和拉电流均为4A。片上集成的自举二*管简化了设计并提高了可靠性，关断模式有独立输入引脚，有助于大限度地降低系统功耗。

STGAP2SiCSNTR现已上市，采用5mmx4mm宽体SO-8N

封装

。

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