场效应晶体管检测标准项目明细一览-百检网

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场效应晶体管检测标准项目明细一览

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场效应晶体管检测在哪做？百检网第三方检测机构可提供场效应晶体管检测服务，工程师一对一服务，根据场效应晶体管检测需求制定方案，安排实验室寄样检测，常规检测项目在3-15个工作日内完成并出具场效应晶体管检测报告，欢迎咨询。

检测周期：常规3-15个工作日，特殊样品除外，在可行范围内可安排加急。

报告样式：纸质、电子版、中英文均可。

场效应晶体管检测项目：

栅-源阈值电压VGS(TO),栅*截止电流和栅*泄露电流,漏*截止电流,栅-源阈值电压,栅*截止电流,漏*电流,高温反偏,栅*漏泄电流,正向跨导,漏一源击穿电压,静态漏-源通态电阻,反向传输电容Crss,开关时间,栅-源阈值电压VGS(th),栅*截止电流IGSS,源-漏二*管正向压降VSD,漏-源击穿电压V(BR)DSS,漏*截止电流IDSS,短路正向跨导gfs,管壳热阻（瞬态Z（th）J-C和稳态R（th）J-C）,输入电容Ciss,输出电容Coss,静态漏-源通态电阻RDS(on),漏-源（直流）电压,栅-源（直流）电压,栅-漏（直流）电压,漏*（直流）电流,漏*峰值电流,漏*反向（直流）电流,漏*反向峰值电流,反偏安全工作区,短路安全工作区,重复雪崩能量,非重复雪崩能量,击穿电压,漏*漏电流,栅*漏电流,漏-源通态电阻,漏-源通态压降,开通能量,关断能量,栅*电荷,输入电容,输出电容,反向传输电容,栅*内阻,反向恢复时间,反向恢复电荷,漏-源反向电压,结-壳瞬态热阻抗和热阻,高温阻断（HTRB）,高温栅*偏置,间歇工作寿命（负载循环）,栅-源截止电压,栅*截止电流或栅*漏泄电流,漏-源通态电压,栅-源短路时，漏*电流,漏-源击穿电压,漏-源短路时，栅*电流,栅-源阈值电压VGS(th),栅*截止电流和栅*泄漏电流IGSS,漏*截止电流IDSS,栅-源截止电压VGSoff,栅-源阈值电压VGS（th）,栅源*截止（漏泄）电流IGSS,正向跨导gfs,漏源击穿电压V（BR）DSS,漏源*截止电流IDSS,静态漏-源通态电阻rDS,噪声电压噪声系数,时间参数,热阻参数,电压参数,电容参数,电导参数,电流参数,电阻参数,栅源漏电流,栅源阈值电压,漏源击穿电压,漏源通态电阻,跨导,零栅压漏*电流,静态漏源通态电压,静态漏源通态电阻,小信号短路正向跨导,栅*截止电流或栅*漏泄电流IGSS,栅*阈值电压VGS(th),漏-源击穿电压V(BR)DSS,漏*截止电流IDSS,漏*电流ID,通态漏-源电阻rds（on）,栅-源阈值电压VGS（th）,栅源击穿电压V（BR）GSS,漏源击穿电压V（BR）DSS,栅*泄漏电流,静态漏—源通态电阻,栅-源截止电压(VGSoff）,栅-源阈值电压(VGSth),漏-源通态电压(VDSon),静态漏-源通态电阻(rDSon),反向栅源漏电流,正向栅源漏电流,漏源通态电压,栅源短路时栅*漏电流,漏-源短路漏*电流,栅-源阈值电压VGS（TO）,栅*截止电流或栅*泄露电流,栅*阈值电压VGS（th）,栅源短路时栅*漏电流IGSS,正向跨导ggs（Vgs）,漏-源击穿电压BVDSS,漏-源短路漏*电流IDSS,漏*电流ID,漏*电流Id（on）,通态漏-源电阻rDS（on）,静态漏-源通态电阻RDS（on）,外部目验,密封,尺寸,快速温度变化,恒定加速度,栅源截止电压,栅源阈电压,湿热循环,漏泄或截止电流,漏源电压,稳态湿热,高温贮存,(结栅型, 绝缘栅耗尽型):G-S关断电压VGS(off)； (绝缘栅增强型):G-S阈值电压VGS(th),(结栅型, 绝缘栅耗尽型,绝缘栅增强型):崩溃电压V(BR)DSS,(绝缘栅增强型IDSS)或(结栅型,绝缘栅耗尽型):漏*关断电流IDSX,静态D-S导通阻抗RDS(on)或者D-S导通电压VDS(on),IDSX:漏*关断电流/IDS*:漏*漏电流

百检网样品检测流程：

1、致电131-4818-0553咨询百检客服，确认样品及需求。

2、客服安排工程师对接，根据需求制定检测方案。

3、确认方案、报价后签订合同，安排寄样检测。

4、实验室根据需求，对样品开展检测工作。

5、检测结束，出具样品检测报告。

6、如需加急请提前与工程师或客服进行沟通。

场效应晶体管检测标准：

1、GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 **篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 8 表1 A1

2、GB/T4586-1994 半导体器件第8部分场效应晶体管 Ⅳ.6

3、GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章2

4、GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章6