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关于GB 50809-2012 硅集成电路芯片工厂设计规范标准部分介绍

2023-07-28 34浏览
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办理一份检测报告需要通过寄样至实验室按照相关标准执行后得到结果数据,报告真实有效。《GB 50809-2012 硅集成电路芯片工厂设计规范》中规定了相关产品的检测项目、方法及相关数值标准,如果您有产品需要依据《GB 50809-2012 硅集成电路芯片工厂设计规范》标准进行检测,百检网可以为您安排工程师对接一对一服务。

GB 50809-2012.Code for design of silicon integrated circuits wafer fab.

1总则

1.0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规,满足硅集成电路芯片生产要求,确保人身和财产安全,做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好,制定本规范。

1.0.2 GB 50809适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。

1.0.3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求,同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。

1.0.4 硅集成电路芯片工厂的设计,除应符合本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。

2术语

2.0.1 硅片 wafer

从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工序加工后所形成的硅单晶薄片。

2.0.2 线宽 critical dimension

为所加工的集成电路电路图形中*小线条宽度,也称为特征尺寸。

2.0.3 洁净室 clean room

空气悬浮粒子浓度受控的房间。

2.0.4 空气分子污染 airborne molecular contaminant

空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污染物。

2.0.5 标准机械接口 standard mechanical interface

适用于不同生产设备的一种通用型接口装置,可将硅片自动载人设备,并在加工结束后将硅片送出,同时保护硅片不受外界环境污染。

2.0.6 港湾式布置 bay and chase

生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置,并以隔墙分隔生产区和维修区。

《GB 50809-2012 硅集成电路芯片工厂设计规范》标准内容仅部分展示,如果您有相关需求请致电百检网咨询。