三星要做首家批量生产80纳米DDR2存储器厂商

     美国东部时间3月13日（北京时间3月14日）消息：

三星

电子公司宣称它将成为批量生产80纳米制程的512Mb的

DDR

2DRam（动态随机读写

存储器

）的**家厂商。

三星电子公司说，公司依靠其80纳米制程生产工艺可以将先前90纳米制程的生产工艺的生产效率提高50％。

三星半导体公司DRam市场营销总裁TomTrill说：“自从DDR2于2004年首次面世以来，市场对于DDR2的需求便一直很大，我们利用80纳米制程生产工艺可以更有效地满足今年DDR2市场的需求增长。”

　三星电子公司称，它可以从90纳米制程生产工艺平稳过渡到80纳米制程的生产工艺上，因为它所使用的许多基础工艺并没有很大改变，它只需对其产品生产线进行一些升级即可。

三星

电子公司的凹槽数组晶体管（RCAT）技术的发展推动了其生产工艺向80纳米制程的跃迁。这种三维晶体管设计布局*大地提高了数据存储器中的关键性部件即刷新率。

凹槽数组晶体管技术也减少了存储单元的截面积，增加了单位硅片上所能安装的芯片个数，从而提高了工艺制程。

据Gartner公司预计，在2006年，

DDR

2存储器将占据整个动态随机读写

存储器

市场50％以上的比例。

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