场效应晶体管检测报告如何办理

检测周期：3-7个工作日（特殊样品、项目除外），可加急。

报告样式：中英文、电子版、纸质版均可。

检测费用：电议。

百检网第三方检测机构支持寄样、上门检测，主要为公司、企业、事业单位、个体商户、高校科研提供样品检测服务，报告CMA/CNAS/CAL资质，真实有效。

检测费用：根据样品实际检测项目决定，详情欢迎来电咨询。

检测项目：

栅-源阈值电压VGS(TO),栅*截止电流和栅*泄露电流,漏*截止电流,栅-源阈值电压,栅*截止电流,漏*电流,高温反偏,栅*漏泄电流,正向跨导,漏一源击穿电压,静态漏-源通态电阻,反向传输电容Crss,开关时间,栅-源阈值电压VGS(th),栅*截止电流IGSS,源-漏二*管正向压降VSD,漏-源击穿电压V(BR)DSS,漏*截止电流IDSS,短路正向跨导gfs,管壳热阻（瞬态Z（th）J-C和稳态R（th）J-C）,输入电容Ciss,输出电容Coss,静态漏-源通态电阻RDS(on),漏-源（直流）电压,栅-源（直流）电压,栅-漏（直流）电压,漏*（直流）电流,漏*峰值电流,漏*反向（直流）电流,漏*反向峰值电流,反偏安全工作区,短路安全工作区,重复雪崩能量,非重复雪崩能量,击穿电压,漏*漏电流,栅*漏电流,漏-源通态电阻,漏-源通态压降,开通能量,关断能量,栅*电荷,输入电容,输出电容,反向传输电容,栅*内阻,反向恢复时间,反向恢复电荷,漏-源反向电压,结-壳瞬态热阻抗和热阻,高温阻断（HTRB）,高温栅*偏置,间歇工作寿命（负载循环）,栅-源截止电压,栅*截止电流或栅*漏泄电流,漏-源通态电压,栅-源短路时，漏*电流,漏-源击穿电压,漏-源短路时，栅*电流,栅-源阈值电压VGS(th),栅*截止电流和栅*泄漏电流IGSS,漏*截止电流IDSS,栅-源截止电压VGSoff,栅-源阈值电压VGS（th）,栅源*截止（漏泄）电流IGSS,正向跨导gfs,漏源击穿电压V（BR）DSS,漏源*截止电流IDSS,静态漏-源通态电阻rDS,噪声电压噪声系数,时间参数,热阻参数,电压参数,电容参数,电导参数,电流参数,电阻参数,栅源漏电流,栅源阈值电压,漏源击穿电压,漏源通态电阻,跨导,零栅压漏*电流,静态漏源通态电压,静态漏源通态电阻,小信号短路正向跨导,栅*截止电流或栅*漏泄电流IGSS,栅*阈值电压VGS(th),漏-源击穿电压V(BR)DSS,漏*截止电流IDSS,漏*电流ID,通态漏-源电阻rds（on）,栅-源阈值电压VGS（th）,栅源击穿电压V（BR）GSS,漏源击穿电压V（BR）DSS,栅*泄漏电流,静态漏—源通态电阻,栅-源截止电压(VGSoff）,栅-源阈值电压(VGSth),漏-源通态电压(VDSon),静态漏-源通态电阻(rDSon),反向栅源漏电流,正向栅源漏电流,漏源通态电压,栅源短路时栅*漏电流,漏-源短路漏*电流,栅-源阈值电压VGS（TO）,栅*截止电流或栅*泄露电流,栅*阈值电压VGS（th）,栅源短路时栅*漏电流IGSS,正向跨导ggs（Vgs）,漏-源击穿电压BVDSS,漏-源短路漏*电流IDSS,漏*电流ID,漏*电流Id（on）,通态漏-源电阻rDS（on）,静态漏-源通态电阻RDS（on）,外部目验,密封,尺寸,快速温度变化,恒定加速度,栅源截止电压,栅源阈电压,湿热循环,漏泄或截止电流,漏源电压,稳态湿热,高温贮存,(结栅型, 绝缘栅耗尽型):G-S关断电压VGS(off)； (绝缘栅增强型):G-S阈值电压VGS(th),(结栅型, 绝缘栅耗尽型,绝缘栅增强型):崩溃电压V(BR)DSS,(绝缘栅增强型IDSS)或(结栅型,绝缘栅耗尽型):漏*关断电流IDSX,静态D-S导通阻抗RDS(on)或者D-S导通电压VDS(on),IDSX:漏*关断电流/IDS*:漏*漏电流

百检检测报告用途

销售：出具检测报告，提成产品竞争力。

研发：缩短研发周期，降低研发成本。

质量：判定原料质量，减少生产风险。

诊断：找出问题根源，改善产品质量。

科研：定制完整方案，提供原始数据。

竞标：报告认可度高，提高竞标成功率。

检测标准：

1、GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 **篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 8 表1 A1

2、GB/T4586-1994 半导体器件第8部分 场效应晶体管 Ⅳ.6

3、GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章2

4、GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章6

5、GB/T 4586-94(IEC 60747-8:1984) 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅲ章3.1.11

6、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

7、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二*管 第Ⅳ章第1节2

8、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范 4

9、IEC 60747-8 Ed. 3.0 b:2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.3.5

10、GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第IV章 2

11、IEC 60747-8-2010 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 6.3.3

12、IEC 60747-8 (Edition 3.0 2010-12) 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管 6.3.2

13、GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 1039/2.1.1

14、IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 6.2.1.1

百检检测流程：

1、电话沟通、确认需求;

2、推荐方案、确认报价;

3、邮寄样品、安排检测;

4、进度跟踪、结果反馈;

5、出具报告、售后服务;

6、如需加急、优先处理;