BA10358是一款独立运算放大器

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BA10358/BA10324A和高可靠性BA2904/BA2902集成了两个或四个单个芯片上的独立运算放大器并有一些具有高增益，低功耗和高功耗的特点宽工作电压范围为3V至36V（单个电源 ）。BA2904W具有低输入失调电压（*大2mV）。

特征

可使用单电源供电

宽工作电源电压范围

输入和输出均可操作GND感应

电源电流低

高开环电压增益

温度范围宽

应用

电流检测应用

缓冲应用放大器

有源滤波器

消费类电子产品

*高工作温度图

简化原理图

引脚配置图1

引脚配置图2

电气特性描述

以下描述的是本数据表中使用的相关电气术语的说明。使用的项目和符号也是所示。请注意，项目名称和符号及其含义可能与其他制造商的文档或其他内容有所不同一般文件。

1.***大额定值

***大额定项目表示不得超过的条件。施加电压超过**值*大额定值或使用超出***大额定温度环境可能会导致特性恶化。

（1）电源电压（VCC/VEE）表示正电源端子与负电源之间可施加的*大电压供电端子不会恶化或破坏内部电路的特性。

（2）差分输入电压（VID）表示可在非反相和反相端子之间施加的*大电压，而不会损坏IC。

（3）输入共模电压范围（VICM）表示可以施加到非反相和反相端子的*大电压而不会变质或破坏电气特性。输入共模电压范围的*大额定值并不能保证IC的正常运行。对于正常操作，请在输入共模电压范围特性内使用IC。

（4）功耗（PD）

表示在环境温度25℃下安装在特定电路板上时IC可以消耗的功率（常温）。对于封装产品，Pd由IC允许的温度决定封装（*高结温）和封装的热阻。

2.电气特性

（1）输入失调电压（VIO）

表示同相端子和反相端子之间的电压差。它可以翻译成将输出电压设置为0 V所需的输入压差。

（2）输入失调电压漂移（△VIO /△T）

表示输入偏移电压波动与环境温度波动的比率。

（3）输入失调电流（IIO）

表示同相和反相端子之间输入偏置电流的差异。

（4）输入偏移电流漂移（△Iio /△T）

表示输入偏移电流波动与环境温度波动的比率。

（4）输入偏置电流（IB）

指示流入或流出输入终端的电流。它由输入偏置电流的平均值定义非反相和反相端子。

（5）供电电流（ICC）

指示在指定的空载条件下在IC内流动的电流。

（7）*大输出电压（高）/*大输出电压（低）（VOH/VOL）

表示在指定负载条件下输出的电压范围。它通常分为*大输出电压高低。*大输出电压高表示输出电压的上限。*大输出电压低表示下限。

（8）大信号电压增益（Av）

表示输出电压的放大率（增益）与非反相端子之间的电压差和反相终端。通常是参考DC电压的放大率（增益）。Av =（输出电压）/（差分输入电压）

（9）输入共模电压范围（VICM）

表示IC正常工作的输入电压范围。

（10）共模抑制比（CMRR）

表示输入共模电压变化时输入偏移电压的波动比。它是通常是DC的波动。CMRR =（输入共模电压的变化）/（输入偏移波动）

（11）电源抑制比（PSRR）

表示电源电压变化时输入偏移电压的波动比。通常是DC的波动。PSRR =（电源电压变化）/（输入偏移波动）

（12）输出源电流/输出灌电流（Isource / Isink）

在特定输出条件下可从IC输出的*大电流。输出源电流表示从IC流出的电流，输出吸收电流表示流入IC的电流。表示从IC流出的电流，输出吸收电流表示流入IC的电流。

（13）通道分离（CS）

表示驱动通道输出电压的波动，参考输出电压的变化未被驱动的通道。

（14）摆率（SR）

表示施加步进输入信号时输出电压的变化与时间的比率。

（15）增益带宽（GBW）

开环电压增益和电压增益降低6dB /倍频程的频率的乘积。

（16）输入参考噪声电压（VN）

表示运算放大器内部产生的噪声电压等效于连接的理想电压源带输入端子的系列。

测试电路1（仅限一个通道）

测试电路2（每个运算放大器）

测试电路3（通道分离）（R1 =1kΩ的，R2 =100kΩ的）

电压跟随器

电压增益为0 dB。该电路控制输出电压（OUT）等于输入电压（IN），并保持OUT稳定因为高输入阻抗和低输出阻抗。OUT显示下一个公式。OUT= IN

反相放大器

对于反相放大器，IN通过电压增益放大决定R1和R2，相反电压是输出。OUT显示下一个公式。OUT = - （R2 / R1）·IN输入阻抗为R1。

非反相放大器

对于非反相放大器，IN通过电压放大增益决定R1和R2，相位与IN相同。OUT显示下一个公式。OUT =（1 + R2 / R1）·IN该电路实现了高输入阻抗，因为输入阻抗是运算放大器的输入阻抗。

功耗

功耗（总损耗）表示IC在TA = 25°C（常温）下可消耗的功率。作为IC消耗功率，它会升温，导致其温度高于环境温度。允许的IC可以接受的温度是有限的。这取决于电路配置，制造工艺和消耗功率。功耗取决于IC内允许的温度（*高结温）和所用封装的热阻（散热能力）。*高结温通常等于*高储存温度。通过IC消耗功率产生的热量从模具辐射出来封装的树脂或引线框架。由符号θJA°C / W表示的热阻表示该散热能力。类似地，可以通过热阻估其封装内的IC的温度。

操作说明

1.电源的反向连接

反接*性连接电源会损坏IC。采取防止反*性的注意事项连接电源，例如在电源和IC电源之间安装外部二*管终端。

2.电源线

设计PCB布局图案以提供低阻抗接地和电源线。分开地面和供应数字和模拟模块的线路，以防止地面噪声和数字模块的供电线路受到影响模拟块。此外，在所有电源引脚上将电容器连接到地。考虑一下这种效应使用电解电容时，温度和老化对电容值的影响。

3.接地电压

即使在瞬态情况下，也要确保任何时候没有引脚的电压低于接地引脚的电压。

4.接地线模式

当同时使用小信号和大电流GND走线时，两条接地走线应分开布线连接到应用板参考点的单个接地，以避免小信号的波动大电流引起的地面。还要确保外部组件的GND走线不会引起变化GND电压。电源和地线必须尽可能短且厚，以减少线路阻抗。

5.散热考虑

如果超过功率额定值，则可能导致芯片温度升高芯片性能恶化。本说明书中规定的Pd的***大额定值为何时IC安装在70mm x 70mm x 1.6mm玻璃环氧板上。如果超过此***大额定值，增加电路板尺寸和铜面积，以防止超过Pd等级。

6.推荐的操作条件

这些条件表示可以近似获得IC的预期特性的范围。在每个参数的条件下保证电气特性。

7.浪涌电流

当首次向IC供电时，内部逻辑可能不稳定并且可能流过浪涌电流瞬间由于内部供电顺序和延迟，特别是如果IC有多个电源。因此，要特别考虑电源耦合电容，电源布线，GND布线宽度和布线连接。

8.强电磁场下的操作

在强电磁场存在的情况下操作IC可能会导致IC发生故障。

9.在应用程序板上进行测试

在应用板上测试IC时，可能会将电容直接连接到低阻抗输出引脚IC要压力。在每个过程或步骤后，始终完全放电电容器。IC的电源应该在检查过程中连接或从测试设置中移除之前，请务必完全关闭。至防止静电放电造成的损坏，在组装过程中将IC接地，并在运输过程中使用类似的预防措施存储。

10.引脚间短路和安装错误

将IC安装在PCB上时，请确保方向和位置正确。可能导致安装不正确损坏IC。避免附近的引脚彼此短路，特别是接地。引脚短路可能是由于许多原因，如金属颗粒，水滴（在非常潮湿的环境中）和无意的焊桥在组装期间沉积在销之间。

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